香港新闻网8月19日电（记者 王少喆）全球围绕记忆体晶片的产业博弈传来历史性突破。市场研究机构 Counterpoint 于2026年8月12日发布的最新报告显示，长江存储（YMTC）在2026年第二季以 14% 的出货容量份额，首度挤身全球 NAND 闪存市场前三名。

数据显示，长江存储当季出货量同比增长 22%、环比增长 5%，小幅超越日本铠侠（13%），仅次于韩国三星（25%）与 SK 海力士（22%），美国美光则以 13% 退居第五。这是中国大陆 NAND 厂商首次进入全球第一梯队，标志著国产存储晶片在消费级市场已形成规模化竞争力。

科技领域学者曹波指出，在美国出口管制持续限制先进半导体设备获取的背景下，长江存储能够逆势冲顶，最核心的技术支撑正是其全球首创的 Xtacking 晶栈架构。

传统 3D NAND 采用单晶圆集成，将存储单元与外围逻辑电路做在同一片晶圆上，因制造工艺不同互相牵制，堆叠层数越高开发越难。Xtacking 架构则将两者分开在两片晶圆上独立加工，再通过数十亿根垂直通道金属键合。这使得单颗晶片面积减少约 25%、产品开发周期缩短约 3 个月，且无需依赖 EUV 光刻机即可实现高阶堆叠，从根源绕开了海外巨头累积数十年的专利壁垒。

目前，长江存储已实现 267 层 3D NAND 的稳定量产，并推进 300 层以上下一代产品研发。最新一代 Xtacking 4.0 架构的传输速率高达 3,600 MT/s，达到上一代 1.5 倍，堆叠密度与传输速度均已站稳全球第一梯队。

长江存储厂区效果图。图源：长江存储官网

精准踩中市场空窗期 反周期布局释放红利

除了技术创新，长江存储的崛起也得益于供需格局的转变与战略性反周期布局。

自 2025年下半年 以来，AI 算力需求爆发，三星与 SK 海力士等头部厂商将资金与产能大量转向利润更丰厚的 DRAM 与 HBM 高频宽记忆体，主动收缩 NAND 产能，例如三星的 NAND 市占率便从 2024年同期 的 32% 回落至 25%。

在市场供给偏紧、AI 推理引爆手机与 PC 消费级存储需求的空窗期，长江存储坚持扩产 NAND，成功填补海外巨头留下的空白。

此外，长江存储在先前行情低谷期未盲目减产，反而坚持产能提升与技术迭代，行情反转时得以立刻释放产能。配合国内信息基础设施对自主可控的需求，伺服器与终端厂商加速采购国产颗粒，为其提供稳定的基本盘。

随著长江存储冲进全球前三，配合长鑫科技（CXMT）上市即登顶 A 股市值榜首，中国存储产业“两存”双雄格局正式成型。

长鑫与长存分别主攻 DRAM（运行内存）与 NAND（数据存储），补齐了中国半导体产业链最核心的两块短板。过去中国作为全球最大晶片消费国，存储晶片自给率长期不足 10%；两大龙头的规模化量产，大幅提升了国家信息基础设施的自主可控水平。

同时，龙头企业的量产验证也带动了上游半导体设备、材料与零组件的全链条国产化，为刻蚀机、镀膜设备、光刻胶及抛光液提供测试平台，复制了当年国产面板产业从“单点突破”走向“系统升级”的成功路径。

“丰产不丰收”隐忧未解 高端转型仍需 3 到 5 年

尽管出货量冲进全球前三，但曹波提醒，当前的成绩仅是阶段性突破，产业远未到高枕无忧的时候。

最直观的矛盾在于“出货量高、销售额偏低”。长江存储当前的营收销售额仍排在全球第五，落后于铠侠与美光。

这背后主要源于产品结构的差异。一方面，长江存储产能主要投向消费级 SSD、手机嵌入式闪存等民用市场，单价与毛利较低；另一方面，单价高、利润厚的数据中心企业级 SSD 占比偏低。相比之下，铠侠有超过 30% 出货量面向伺服器市场，美光在企业级领域亦布局深厚，单位售价远高于消费级产品。

技术层面上，在最先进的 HBM 高频宽记忆体与高端企业级 SSD 领域，中国厂商与三星、SK 海力士相比仍有 3 到 4 年 的技术差距，且部分高端设备仍受到外部出口管制约束。

此外，存储行业具备强周期性，当前量价齐涨源于供需错配，一旦海外巨头调回产能，市场抗风险能力将面临严峻考验。

展望未来，长鑫正在加快推进 HBM 与伺服器高端 DRAM 的研发，长江存储亦推出了多款 PCIe 5.0 规格的企业级 SSD，计划于 2026年下半年 提高企业级产品出货占比，朝营收冲进全球前三发力。未来 3 到 5 年，中国存储产业将从“拼数量”转向“拼质量”，逐步打入企业级与车规级市场，在这场跨越数十年的产业追赶中，冲进全球前三仅是一个全新起点。（完）