成立只有十年的长鑫科技7月27日正式登陆科创板后，短短五个交易日，发行价 8.66元的股票，便直接飙升到55.03 元，涨幅达531.06%，对应总市值冲高至 3.7万亿元，全天成交额最终锁定 1412 亿元，创下 A 股有史以来个股单日成交额最高纪录。

8月3日长鑫科技股价一度攀升至55.98元人民币。（图源：雪球）

长鑫科技一下子就成了无可争议的A 股“股王”，甚至还在全球半导体市值榜单中超越英特尔。记得也就是在去年的时候，长鑫科技才刚扭亏，账上还挂著366.5亿元的累计未弥补亏损。那这么一个带著历史亏损包袱的年轻芯片企业，凭什么一上市能拔得头筹呢？

要理解长鑫科技的分量，必须先看清它所处的环境有多卷。长鑫科技主营的是DRAM，也就是动态随机存取存储器，是负责手机、电脑、服务器中运行数据暂存的，它直接决定了设备的运行速度与多任务处理能力，是核心基础芯片。去年，全球DRAM市场规模超过1200亿美元，却长期处于海外寡头高度垄断之中。

据Counterpoint Research数据显示，今年第一季度，三星、SK海力士和美光三家，分别以38%、29%、22% 的份额，合计差不多占据了全世界九成的市场。中国作为全球最大的DRAM消费市场，占全球消费量的 42%，但自给率长期不足 5%，每年要花费超 500 亿美元进口存储芯片。

▲2025年GRAM市场份额分布图

然而，要想挤进这个赛道谈何容易，建一座12英寸的DRAM晶圆厂，动辄上百亿美元，技术每升级一代，有可能旧产线还没回本，又得再继续投几十上百亿买新设备。而且由于DRAM高度标准化，成本相对固定，价格完全是随著供需关系变化的，需求一上来，价格就暴涨，供给一过剩，价格就雪崩，这个涨跌周期基本是三到五年。再者，美日韩企业在DRAM领域已经深耕几十年，近10万项的专利壁垒，覆盖了接口标准、存储单元结构、制程微缩等全链条，新入局者很难绕开，所以，这几十年间德国奇梦达、日本尔必达等一众挑战者都是抱憾离场。再加上荷兰ASML的EUV光刻机对华禁售，可以说，长鑫科技面临的压力绝对是空前的。

长鑫科技。

而长鑫科技之所以能杀出重围，最重要的一点是因为它选择了一条最难走的路，也就是IDM全栈自研模式。芯片行业普遍分为轻资产的Fabless模式与重资产的IDM模式，前者只做设计、制造外包，门槛低、风险小，绝大多数芯片企业选的都是这条路；后者则覆盖设计、制造、封测全链条，需要持续投入百亿级资金建设晶圆厂、购置设备、培养工程师团队，三星、SK海力士、美光走的都是这条路。DRAM的基础原理是公开的，怎么设计并不关键，关键在于如何制造，即使是同样的设计，在不同生产线上做出来的芯片，性能、成本与良品率都可能有著天差地别。所以，长鑫科技从立项之初就坚定走IDM路线。

当然，选择了这条路必然是艰难的。IDM模式本身就意味著重资产、重投资，仅2023年到2025年间，长鑫的固定资产折旧就高达500亿元，而且DRAM项目从建厂到量产再到盈利，一般都需要八年以上，从2016年项目启动到2025年底，长鑫累计亏损就超过360亿元，而能够支撑长鑫跨越亏损周期的，正是以合肥国资为代表的国有资本。在这十年间，合肥国资体系累计投入约 248亿元，始终持股不动摇，也正是这份耐心，为长鑫争取到了足够的技术迭代时间。国家这种用长期投入换来了自主可控制造能力的逻辑，最终让长鑫复刻了京东方在面板行业的成功路径。

在技术路线上，长鑫则是另辟蹊径，选择了跳代研发与差异化工艺结合的策略。按照芯片行业常规，产品迭代通常是一代一代微缩制程，如果长鑫按部就班的话，就要永远在巨头身后追。而长鑫在2019年量产19nm第一代工艺后，直接跳过中间的好几代，跃迁到了14nm级的第四代工艺，产品端也快速从DDR4内存转向DDR5和LPDDR5X内存。既然EUV被封锁，那就用DUV来替代，长鑫用成熟的浸没式DUV光刻机，配合自对准四重曝光（SAQP）技术，通过将精细电路图形拆分、多次曝光，叠加沉积侧墙的方式，达到高精度制程。这种方式类似套色印刷，把一次印不清的图案拆成四次逐层叠加，最终实现等效的精细线宽。虽然这样一来会增加工序、抬高单片成本，而且对良品率控制要求更高，但它绕开了最关键的设备卡脖子环节，让中国在没有EUV的情况下也能量产高性能DRAM。在此基础上，长鑫还提前布局键合式DRAM等下一代技术，加速缩小与国际领先厂商之间的技术差距。

正如前文所述，国外巨头已经在这个赛道筑起了高高的专利壁垒，曾经，与长鑫同时进军DRAM行业的福建晋华，就因为专利纠纷与出口管制而停滞。而长鑫的破局之法就是收购破产企业的技术遗产，拿到了全球市场的合法入场券。曾经的全球第二大DRAM厂商德国奇梦达，2009年破产后，留下了7000多项核心专利和超千万份、2.8TB的技术文档，而且他们的技术路线与三星、美光的差异较大，就自然规避了大量专利雷区。2019 年，长鑫通过专利授权方式完整获得了这批技术遗产，同时吸纳了原奇梦达的大批资深工程师与技术人才。如此一来，长鑫就构筑起了自己的知识产权护城河，使其能够合法参与全球市场竞争。此外，再叠加逆周期扩产的精准判断，也使得长鑫能够逆风翻盘。2023年全行业亏损收缩时，长鑫逆势投入436亿元扩产，最终在去年AI算力爆发，国外三巨头转投高利润HBM（高带宽内存）而让出通用DRAM市场缺口时，精准接住了海量订单，实现首次盈利，今年上半年净利润就超过500亿元，十年亏损一朝抹平。

▲长鑫科技近年来营收和净利润

长鑫科技的崛起，并不单单是一个企业的成功，其实这对中国存储芯片产业乃至整个半导体自主化进程都具有里程碑式的意义。从产业生态看，长鑫作为供应链顶端企业，会带动上游半导体设备、材料、光刻胶、掩模版等配套环节的验证与替代，为国产供应链提供宝贵的量产测试平台，推动整个半导体产业链的国产化率提升。对国内AI产业而言，自主可控的 DRAM产能是算力设施的基础，有它在就能大幅减少价格波动的风险，为AI大模型与数据中心建设提供稳定支撑。可以说，长鑫补上了国产芯片版图中最关键的一块短板，让中国在 DRAM这个战略级品类上拥有了稳定的本土供应能力。而更深远的意义则在于，长鑫用十年时间证明，即使是在资金密集、技术密集、专利密集的高端半导体领域，中国企业都能实现从0到1的突破，那么后续更多的其它硬科技领域，就能够复制这种路径，也会有更大的信心来完成。

放眼全球，在全球供应链区域化分化的大背景下，长鑫代表的中国产能将成为全球存储供应链的重要一极，打破了国外寡头绝对垄断的定价权，为东南亚、拉美等新兴市场提供更多元的供货选择，降低了单一地区断供的风险，从而推动存储芯片价格回归合理区间。在地缘科技博弈层面，长鑫突破技术封锁实现量产，本身就是对科技霸权的有力回应，它证明了极端封锁不仅无法阻挡技术追赶，反而会加速自主产业链的成熟。当然，我们也要清醒地看到，长鑫在最先进制程、HBM 高端产品、产能规模上与国际巨头仍有代差，从入局到引领恐怕还有很长的路要走，但可以确定的是，全球存储产业的三巨头时代已经落幕，一个由中、美、韩共同构成的多极新格局正在加速形成。

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